Samsung’un yeni NAND teknolojisi enerji tüketimini dibe çekiyor
Samsung, yeni NAND mimarisiyle güç tüketimini yüzde 96’ya kadar düşürdüğünü açıkladı. Özellikle yapay zekâ veri merkezleri ve mobil cihazlarda enerji tüketimini ciddi ölçüde azaltmayı hedefliyor.
Samsung Advanced Institute of Technology, Nature dergisinde yayımlanan çalışmayla yeni bir NAND mimarisini duyurdu. Şirket, ferroelektrik alan etkili transistörlere (FeFET) dayalı yapının, geleneksel NAND’e kıyasla güç tüketimini yüzde 96’ya kadar azaltabildiğini belirtiyor.
Veri merkezine nefes
Buradaki kritik fark, klasik 3D NAND’de her okuma/yazmada katmanlar boyunca uygulanan “pass voltage” ihtiyacının FeFET tasarımında neredeyse tamamen ortadan kalkması.
Yeni tasarım, enerji tasarrufu sağlarken kapasiteden de ödün vermiyor. Araştırma, hücre başına 5 bite kadar çok seviyeli depolamanın korunabildiğini gösteriyor; bu da bugün pazarın en üst düzey NAND çözümleriyle aynı hatta bazı senaryolarda daha iyi yoğunluk anlamına geliyor.
Samsung, 25 nm kısa kanallı transistörlerin dikey olarak istiflenebileceğini ve yüksek katman sayısında bile düşük güç tüketiminin devam ettiğini vurguluyor.